При больших значениях Св»СэКв амплитуда UB мала, диапазон изменения Ем увеличивается, но изменение емкости варикапа будет слабо влиять на частоту генерируемых колебаний (рис. 7.7). При расчете зависимостей на рис. 7.7 учитывалось, что /в зависит от частоты (7.7) и не принимались во внимание нелинейные эффекты, амплитуда UB вычислялась по формуле £/в=/в/соСв, которая, строго говоря, справедлива лишь при малых амплитудах /в. Относительное изменение частоты Д//^ср= (/в—M/fcp, гДе !в и fн — значение частот на границе пробоя и отпирания варикапа, /ср — значение частоты при среднем значении модулирующего напряжения Еш ср, получается максимальным, если значение Св при ив — 4 В примерно равно 2,54СЭКв Для варикапа с [/цР = 40 В и 1,57СЭКв для варикапа с Unv = 80 В. Амплитуды напряжения на варикапах при £м, равных 15,5 В и 31 В, составляют соответственно 7 и 17 В.
Для этих варикапов при СВСШт рассчитаны MX (рис. 7.8) в предположении, что L на рис. 7.6 выбрана так, что при £^=15,5 В и 31 В суммарная индуктивность контура (L + Lo) резонирует с последовательно соединенными емкостями Сэкв и Св. Для варикапа с Х/Пр = 80 В (L + L6) «6'нГн.
Мощность Ррас, рассеиваемую варикапом, несложно определить, если известна добротность варикапа. На средней частоте амплитуда тока через варикап /в=143 мА. Если для варикапа с [/пр=:80 В на средней частоте при £м = 4 В принять Q = 50, то г обр = 0,78 Ом и Ppac = 0,5/Vo6Pi=8,l мВт, т. е. Pvac составляет 5% от мощности, отдаваемой транзистором в колебательную систему.
7.3. Особенности конструктивного выполнения автогенераторов с перестройкой частоты варикапом
При расчете мы пользовались простейшей моделью ГПЧ на рис. 7.1,6. Реальные схемы обычно сложнее, однако принятый подход к расчету отражает основные особенности автогенератора и позволяет ориентировочно оценить его электрические характеристики. Схема на рис. 7.1,6 содержит сосредоточенные элементы; в действительности на частотах выше 9,5... 1 ГГц автогенераторы обычно имеют колебательную систему с распределенными элементами, как правило, выполненную на основе МПЛ.