|
Значение модуля коэффициента S21 (6.59) определяет потери и ПАМ. Зная модуль коэффициента пропускания S21 (6.59), при отсутствии потерь в модуляторе легко найти модуль коэффициента отражения Г. = К(1-5221). (6.61) Графики на рис. 6.22, а, построенные с помощью (6.59) и (6.61), показывают связь между параметрами р, BN и # при отсутствии отражений, т. е. при Гг=0. При #=я/2 условие Гг = 0 можно выполнить только при р<1 и комплексно-сопряженных нагрузках ]BNi =—JjBjv2 (например, точки а и б на рис. 6.22). Индекс модуляции увеличивается с ростом Bm—\\BN2\ (рис. 6.23). При р=1 условие Гг = 0 будет выполняться, когда проводимость нагрузки в одном из положений равна нулю: 5Ш = 0; при этом 5iY2 = 2tg0M, где Фм — индекс модуляции, а Ф=я/2—Фм [193]. Значения Вт и BN2 соответствуют, например, точкам в, г на рис. 6.22. Из рис. 6.22 видно также, что возможная реализация ДФМ с Гг = 0 и при комплексно-несопряженных отличных от нуля нагрузках; при этом $Фк12\ рф1 (например, точки д> е). Пусть требуется получить фазовый сдвиг Дф==2Фм=30,5°. Выберем модулятор с #=я/2 при комплексно-сопряженных нагрузРис. 6.22. Связь между параметрами не имеющего отражений дискретного фазового модулятора типа нагруженной линии Рис. 6.23. Зависимость фазовой задержки в модуляторе, не имеющем отражений, от проводимости фазовращаю-щих нагрузок (0 = я/2; р<1) ках. С помощью графика на рис. 6.23 найдем BNi = 0,26, а графика на рис. 6.22 для f} = я/2 р = 0,97. В конструкцию модулятора (рис. 6.24) входят диоды 2, площадка 3, образующая включенную последовательно с диодом емкость, индуктивные шлейфы 5. Модулирующее напряжение подается на диоды через отверстие в подложке 4; в технологическом основании имеется изолированный штырь; блокировка осуществлена с помощью двух четвертьволновых шлейфов, как на рис. 3.22. Точки 1 я 6 — вход и выход модулятора.
|