Достоинство конденсатора — довольно большая емкость на единицу площади. Например, конденсатор площадью 1 мм2 при толщине пленки из Si02 в 2 мкм имеет емкость около 18 пФ. Оба электрода такого конденсатора можно изолировать от земли, хотя нижняя обкладка неизбежно имеет некоторую паразитцую емкость на землю. Недостаток конденсатора — низкие пробивные напряжения. Дело в том, что слой металла имеет неровности (особенно опасны острые выступающие неровности), следствием которых может быть пробой тонкого диэлектрика.
В гребенчатых конденсаторах (рис. 2.5,6) по существу используется торцевая емкость между элементами гребенки, зазор между которыми не менее 30 мкм. Достижимые емкости ограничены долями и единицами пикофарад. Оба электрода конденсатора изолированы от земли, пробивные напряжения — несколько сот вольт.
В ГИС СВЧ в качестве блокировочных и разделительных на частотах вплоть до нескольких гигагерц применяют и специальные дискретные конденсаторы емкостью от единиц до нескольких тысяч пикофарад. Они припаиваются к областям металла, нанесенным на подложку, в частности в разрыв МПЛ. В таких конденсаторах, например КЮ-17 [3], имеется два специально залуженных участка, которые являются электродами.
Технология изготовления МОП-конденсаторов во многом сходна с технологией изготовления транзисторных и диодных структур [3]. Использование в качестве нижней обкладки практически идеально гладкой пластины из сильно легированного (п+) кремния, являющейся основным элементом при производстве транзисторных и диодных структур, позволяет, не опасаясь пробоя, существенно уменьшить толщину диэлектрического слоя. Как видно из рис. 2.6, а, на пластине низкоомного кремния толщиной около