Приборы в малогабаритных негерметичных корпусах, например КТ372, КТ918 (рис. 2.1,в,г), припаиваются нижней плоскостью к металлизированной площадке на подложке корпуса.
При конструировании РПДУ третьего поколения используют транзисторные структуры, припаянные к металлизированной поверхности поликоровой подложки или (при большой мощности, рассеиваемой структурой) к шайбе из окиси бериллия ВеО. Про-
тивоположная поверхность такой шайбы металлизирована, что позволяет припаивать ее к теплоотводящему основанию (корпусу). По существу это основная деталь транзистора, которая располагается внутри герметичного корпуса.
Мощные бескорпусные транзисторы и диоды трудно применять» так как невозможно проконтролировать важнейшие параметры структуры (Рвых, КПД и КР на рабочей частоте), не включая элемент в устройство, например в УМ. Для этого нужно припаять структуру к корпусу и соединить ее с элементами СТЦ и цепей блокировки. Технология крепления тонких выводов к структуре (термокомпрессия) довольно сложна. Кроме того, она является одноразовой. В связи с этим, контроль основных параметров изготовителем, отсоединение выводов и последующая поставка потребителю невозможны. Как правило, для широкого круга специалистов, занимающихся проектированием полупроводниковых РПДУ, мощные бескорпусные элементы при всей их привлекательности являются практически недоступными.
Важнейшими элементами РПДУ любого назначения являются полупроводниковые диоды [78]. На их основе выполняются умножители частоты, частотные модуляторы, линейные фазовые модуляторы и фазовые манипуляторы, смесители, переключатели и т.д. Режимы работы диодов, предназначенных для этих устройств, существенно различаются. Так, для умножителей частоты характерна работа в режиме частичного отпирания перехода; для частотных модуляторов и линейных фазовых модуляторов — в режиме закрытого перехода. Соответственно различаются и требования к электрическим характеристикам диодов (см. гл. 6—8).