ГИС СВЧ третьего поколения размещают на малогабаритных керамических подложках. Характерным примером узла СВЧ третьего поколения является транзистор со встроенными в корпус СТЦ на входе и выходе, представляющий собой по существу интегральный усилитель мощности [39, 43, 52, 91].
В целом можно утверждать, что в перспективе проектирование большинства РПДУ будет сводиться к сборке его из стандартных унифицированных узлов с высокой степенью интеграции, (задающих генераторов, умножителей частоты, усилителей, модуляторов и т. д.), обладающих входным сопротивлением, например, 50 Ом и предназначенных для работы на нагрузку 50 Ом.
Известно, однако, что унифицировать РПДУ и их узлы далеко не просто. С одной стороны, это объясняется многообразием радиосистем и существенными различиями требований к выходным параметрам РПДУ (рабочая частота, мощность, вид модуляции, диапазон модулирующих частот и т. д.). Отсюда разнообразие структурных схем, сложность частотных преобразований в них, различие в требованиях к отдельным узлам. С другой стороны, важнейшие узлы РПДУ обладают узкими полосами пропускания. Особенно сильно это проявляется при проектировании транзисторных усилителей мощности на частотах выше 1 ... 2 ГГц при выходной мощности более 5 ... 10 Вт. Здесь емкости транзисторной структуры и индуктивности выводов существенно ограничивают максимально достижимые полосы пропускания.
Изучение литературы показывает, что в настоящее время набор выпускаемых унифицированных узлов ограничен. Поэтому вопросы проектирования ГИС СВЧ различной степени интеграции для РПДУ разного назначения являются весьма актуальными.
В большинстве радиосистем используется в настоящее время угловая модуляция, поэтому в книге основное внимание уделено расчету и конструированию СВЧ узлов РПДУ с частотной и фазовой модуляцией. *